面处理
S-DLC系F- DLC类钻膜在成膜约3~5um后在真空炉内改变DLC类钻膜表面在薄膜表面形成均匀光滑的凹坑与致密附着的组织结构。
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于冠荣
为因应产业发展趋势,将持续开发新产品及新技术,例如“RFID晶粒接合整线封装”设备开发,整合NCP/ACP、覆晶、预压、热压(多头)、产品测试及错误标记于同一生产线
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